Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой локализацией, в условиях изменения размерности системы под действием магнитного поля и температуры

Теоретически проанализировано и экспериментально исследовано магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное явлением слабой локализации электронов в условиях, когда толщина пленки сравнима с длиной диффузии электронов за время релаксации фазы волновой функции или с магнитной длиной. Получено выражение для магнетосопротивления тонких пленок при произвольном соотношении между толщиной пленки и длиной диффузии электронов за время релаксации фазы волновой функции. Показано, что полученное выражение хорошо описывает магнетосопротивление пленок оксида цинка, легированного галлием в условиях изменения их эффективной размерности по отношению к явлению слабой локализации, вызванного изменением магнитного поля и температуры.