Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge

Тонкие растянутые пленки Ge в многослойных гетероструктурах InGaAs/Ge/InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках GaAs (001), исследованы с применением методов спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии пропускания света. Растягивающие двуосные деформации в пленках достигали $1.9$ %. В растянутых пленках Ge обнаружен сдвиг края поглощения в длинноволновую область. Оптическая щель уменьшается до ${\sim}\,0.48\,$эВ.