Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний

Измерена проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром. Показано, что в квантовых ямах толщиной 8–10 нм клейновское туннелирование не очень эффективно и не мешает выделить вклад краевых состояний в проводимость. Разделение вкладов $p{-}n$-перехода и краевых состояний возможно при одновременном измерении сопротивлений области $p{-}n$-переходов на каналах с существенно различной шириной.