Спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного внутреннего отражения топологического изолятора Bi$_2$Se$_3$

Измерены спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного внутреннего отражения пленки топологического изолятора (111)Si/Bi$_2$Se$_3$. Методом дисперсионного анализа спектров отражения получены параметры плазмонов и фононов в приповерхностных слоях у границы раздела Si – пленка. Обнаружено, что концентрация носителей у границы раздела значительно превышает концентрацию в объеме пленки. Определены дисперсионные зависимости поверхностных поляритонов и волноводных мод.