Кулоновские краевые состояния в 2D электронных системах

Обсуждаются детали структуры краевых электронных состояний в ограниченных 2D заряженных системах (электронных или дырочных), связанные с участием в их формировании неоднородностей электронной (дырочной) плотности кулоновского происхождения. Показано, что на резких краях различных 2D систем (в корбино- и прямоугольных геометриях) кулоновские эффекты приводят к заметному уширению традиционных краевых магнитных уровней. В рамках этого же формализма предложен пороговый механизм возникновения целочисленных “полок” в центральной части экранированных 2D систем. Полученные результаты сравниваются с имеющимися экспериментами.