Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле

Численным решением нестационарного уравнения Шредингера показано, что коэффициент прохождения электрона через одномерный плавный барьер в высокочастотном поле может увеличиваться на порядки в туннельном режиме и сильно уменьшаться в открытом режиме. При этом основной вклад вносят переходы с поглощением или испусканием нескольких фотонов. Найденным эффектом можно объяснить недавно обнаруженный сильный рост кондактанса туннельного точечного контакта при облучении структуры микроволнами.