Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерной электронной системе с сильным экранированием

Методом оптического детектирования исследована дисперсия плазменных и магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с близко расположенным задним затвором. В образцах в форме дисков экспериментально наблюдались как циклотронное, так и краевое экранированные магнитоплазменные возбуждения. Установлено, что магнитополевое поведение обеих мод хорошо согласуется с существующей теорией, описывающей дисперсию экранированных магнитоплазменных возбуждений. Показано, что в сильном магнитном поле дисперсия экранированных магнитоплазменных возбуждений имеет квадратичный характер. Это позволяет поставить в соответствие магнитоплазменной волне квазичастицу с массой, обладающей целым рядом уникальных свойств.