RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2015, том 102, выпуск 8, страницы 610–614 (Mi jetpl4769)

Эта публикация цитируется в 29 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$

Д. Р. Исламовab, А. Г. Черниковаc, М. Г. Козодаевc, А. М. Маркеевc, Т. В. Переваловab, В. А. Гриценкоab, О. М. Орловd

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
d Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, 124460 Зеленоград, Россия

Аннотация: Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$. Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия $1.25$ эВ и оптическая энергия $2.5$ эВ. Оценена концентрация ловушек: ${\sim}10^{19}{-}10^{20}$ см$^{-3}$.

Поступила в редакцию: 11.08.2015
Исправленный вариант: 28.08.2015

DOI: 10.7868/S0370274X15200126


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, 102:8, 544–547

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024