Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, О. Макаровский, М. Хенини, “Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 2015, том 102, выпуск 11,страницы 830

Эта публикация цитируется в 5 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах

Ю. Н. Ханин^a, Е. Е. Вдовин^a, О. Макаровский^b, М. Хенини^cb

^a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^b School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK
^c Nanoscience Centre, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK

Аннотация: Изучены квантовые осцилляции фотопроводимости в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками. На основе простой электростатической модели показано доминирующее влияние динамики накопления заряда фотовозбужденных дырок на квантовых точках на период осцилляций и их эволюцию с изменением мощности освещения в целом. Исследования температурных зависимостей осцилляционной структуры вольт-амперных характеристик подтвердили нашу интерпретацию.

Поступила в редакцию: 30.09.2015

DOI: 10.7868/S0370274X15230058