И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 2016, том 103, выпуск 2,страницы 128

Эта публикация цитируется в 19 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

И. В. Алтухов^a, С. Е. Дижур^a, М. С. Каган^a, С. К. Папроцкий^a, Н. А. Хвальковский^a, А. Д. Буравлев^b, А. П. Васильев^b, Ю. М. Задиранов^b, Н. Д. Ильинская^b, А. А. Усикова^b, В. М. Устинов^b

^a Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
^b Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С. Петербург, Россия

Аннотация: Исследовалась минизонная проводимость в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs с ТГц-резонатором. На вольт-амперных характеристиках при некотором пороговом напряжении наблюдалось скачкообразное уменьшение тока, вызванное образованием электрических доменов. Обнаружено, что при изменении параметров резонатора это пороговое напряжение существенно меняется. Предложено объяснение, связывающее сдвиг порога с возбуждением в резонаторе колебаний значительной амплитуды.

Поступила в редакцию: 11.11.2015
Исправленный вариант: 09.12.2015

DOI: 10.7868/S0370274X16020090