В. А. Максименко, В. В. Макаров, А. А. Короновский, А. Е. Храмов, Р. Венкевичиюс, Г. Валушис, А. Г. Баланов, Ф. В. Кусмарцев, К. Н. Алексеев, “Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение”, Письма в ЖЭТФ, 2016, том 103, выпуск 7,страницы 527

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение

В. А. Максименко^ab, В. В. Макаров^b, А. А. Короновский^a, А. Е. Храмов^ab, Р. Венкевичиюс^c, Г. Валушис^c, А. Г. Баланов^bd, Ф. В. Кусмарцев^d, К. Н. Алексеев^d

^a Саратовский государственный университет им. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
^b Саратовский государственный технический университет им. Гагарина, 410054 Саратов, Россия
^c Terahertz Photonics Laboratory, Center for Physical Sciences and Technology, LT-01108 Vilnius, Lithuania
^d Department of Physics, Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom

Аннотация: Рассматривается простейшая модель, описывающая стационарный электронный транспорт через квантовую сверхрешетку конечной длины при учете произвольной электрической характеристики инжектирующего контакта. В рамках одноминизонного приближения получены точные формулы, описывающие пространственные распределения электрического поля в сверхрешетке для различных типов контактов. Найдены условия, при которых поле становится однородным. Получены аналитические выражения для вольт-амперных характеристик. В качестве одного из приложений развитой теории оценивается возможность достижения однородного поля в диодной структуре с естественной сверхрешеткой карбида кремния.

Поступила в редакцию: 09.02.2016

DOI: 10.7868/S0370274X16070080