Квантовый эффект Холла в системе с электронным резервуаром

В полевом транзисторе с электронной системой в широкой квантовой яме GaAs выполнены прецизионные измерения зависимости емкости от магнитного поля и затворного напряжения. Обнаружено, что минимумы в емкости, обусловленные щелями в спектре Ландау электронной системы, при заполнении двух подзон размерного квантования становятся аномально широкими. Эффект объясняется удержанием химпотенциала в щели между уровнями Ландау одной из подзон за счет перераспределения электронов между подзонами, происходящего при изменении магнитного поля. В модели электронной системы, образованной двумя слоями двумерных электронов, выполнен расчет, учитывающий такое перераспределение. Результаты расчета описывают как уширение особенностей в емкости, так и наблюдаемое исчезновение отдельных состояний квантового эффекта Холла.