Импульсная фотопроводимость алмаза при квазистационарном возбуждении лазерным излучением на 222 нм в условиях существования электронно-дырочной жидкости

В поликристаллическом алмазном образце, синтезированном методом газохимического осаждения, наблюдалось увеличение тока импульсной фотопроводимости на порядок величины в условиях существования электронно-дырочной жидкости. Возбуждение неравновесных носителей заряда производилось лазерным излучением на длине волны 222 нм длительностью 18 нс на полувысоте с пиковой интенсивностью более 2.5 МВт/см$^2$ и при охлаждении образца до 90 К. При воздействии излучением с пиковой интенсивностью менее 1 МВт/см$^2$ охлаждение образца от 300 до 90 К вызывало уменьшение тока импульсной фотопроводимости в ${\sim}\,5$ раз. Предположено, что наблюдавшееся увеличение тока импульсной фотопроводимости связано с конденсацией электронно-дырочной жидкости.