Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs

Кристаллическое строение новых самоорганизованных InSb/AlAs и AlSb/AlAs квантовых точек (КТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Теоретические расчеты энергетического спектра КТ дополнены экспериментальными данными спектроскопии стационарной и время-разрешенной фотолюминесценции. Осаждение 1.5 монослоев InSb или AlSb на поверхность AlAs, выполненное в режиме атомно-слоевой эпитаксии, приводит к формированию псевдоморфно напряженных КТ, состоящих из твердых растворов InAlSbAs или AlSbAs, соответственно. В зависимости от состава твердого раствора КТ могут иметь энергетический спектр, как первого, так и второго рода. Основное дырочное состояние КТ принадлежит зоне тяжелых дырок, при этом энергия локализации дырки значительно превосходит энергию локализации электронов. В КТ первого рода основное электронное состояние принадлежит непрямой $X_{XY}$ долине зоны проводимости твердого раствора. В КТ второго рода основное электронное состояние принадлежит непрямой $X$ долине зоны проводимости AlAs матрицы.