Влияние углеродных вакансий на электросопротивление нестехиометрического карбида ванадия VC$_y$

Изучено влияние температуры, концентрации и распределения структурных вакансий углеродной подрешетки на электросопротивление $\rho$ нестехиометрических карбидов ванадия VC$_y$ ($0.66\leq y\leq0.875$) в интервале температур 300–1200 K. Определены симметрия и структурные характеристики упорядоченных фаз V$_6$C$_5$ и V$_8$C$_7$, образующихся в результате низкотемпературного отжига на разных участках области гомогенности карбида VC$_y$. Зависимость остаточного электросопротивления от состава неупорядоченного карбида ванадия объяснена атомно-вакансионным взаимодействием и изменением концентрации носителей тока в области гомогенности VC$_y$.