Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум

Экспериментально установлено, что перенос фотоэлектронов из объема p-GaN (Cs,O)-фотокатода в вакуум сопровождается испусканием каскада оптических фононов. В спектре квантовой эффективности p-GaN (Cs,O)-фотокатода обнаружен экситонный пик, указывающий на существенный вклад электрон-дырочного взаимодействия в генерацию свободных электронов в сильнолегированном p-GaN.