Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe

Экспериментально изучено аномальное магнитосопротивление (АМС), вызванное эффектами слабой антилокализации в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки теллурида ртути. Показано, что полученные результаты хорошо описываются универсальной теорией Zduniak et al. Обнаружено, что в области объемной щели величина АМС значительно меньше ожидаемой для системы дираковских фермионов. Предположено, что подобный факт может быть связан с наличием ненулевой эффективной массы дираковских фермионов. При заполнении объемных зон наблюдается существенный рост АМС, что свидетельствует о слабом взаимодействии поверхностных и объемных носителей заряда.