Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей

Измерены коэффициент фотоэлектрического усиления, спектры фототока дырок в среднем инфракрасном диапазоне и межзонной фотолюминесценции в массивах квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с различным элементным составом гетерограницы. Диффузионное перемешивание материалов матрицы и квантовых точек контролировалось выбором температуры заращивания слоев германия кремнием. Обнаружено, что формирование резкой гетерограницы приводит к усилению фототока дырок и гашению сигнала фотолюминесценции. Результаты объяснены ростом времени жизни неравновесных дырок вследствие подавления процессов захвата на связанные состояния квантовых точек.