Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$

В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$ с защитным слоем Se, выращенных на подложках (111) BaF$_{2}$. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях, обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова–де Гааза в больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении наличия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим.