Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта

Изучен терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора (ТИ) в HgTe квантовой яме, находящегося в режиме квазибаллистического транспорта. Обнаружено фотосопротивление (ФС), возникающее только в окрестности точки зарядовой нейтральности (ТЗН). Приложение магнитного поля до 4 Т в плоскости квантовой ямы приводит к росту ФС в пике, а также расширению области вблизи ТЗН, в которой оно существует. Приведенные результаты позволяют предположить, что наблюдаемое ФС обусловлено переходами c участием краевых дисперсионных веток двумерного ТИ.