Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для томографии времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах

На примере кристаллов ZnSe рассмотрены перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для создания “плоских карт” времен жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах и для исследования других прямозонных полупроводников и структур на их основе. Показана возможность формирования таких карт с шагом по глубине и пространственным разрешением по плоскости в несколько мкм до расстояний от поверхности до 1 мм. Сообщается о наблюдении с помощью этой методики неоднородностей в кристаллах и исследовании их структуры и люминесцентных характеристик.