Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn$_2$P$_2$S$_6$ с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом

Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn$_2$P$_2$S$_6$ при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси $b$. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракционной природы взаимно компенсируют друг друга. Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изменением мощности накачки, демонстрируется впервые.