Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов

Исследовано динамическое поведение спектров низкотемпературной ($T=5\,$К) фотолюминесценции гетероструктур Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si ($x=0.045$) при распространении неравновесных фононов (тепловых импульсов) в структуре. Обнаружено быстрое испарение электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в квантовой яме (КЯ) структуры при нагреве жидкости фононами теплового импульса. Установлено, что возрастание плотности экситонного газа в КЯ связано с испарением ЭДЖ и увеличением скорости захвата экситонов в КЯ. Показано, что взаимодействие с фононами теплового импульса приводит к диссоциации экситонно-примесных комплексов в кремниевых слоях, сопровождающейся увеличением концентрации и времени жизни экситонов.