Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS$_2$

В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS$_2$ с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS$_2$ приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.