Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения

На примере триплетных связанных экситонов в селениде галлия исследована временная зависимость сигнала антипересечения зеемановских подуровней экситонов в условиях резонансного возбуждения. Обнаружено, что форма сигнала антипересечения меняется в течение времени жизни возбужденного состояния, при этом временная зависимость сигнала антипересечения при резонанасном возбуждении экситонных состояний существенно отличается от соответствующей зависимости, наблюдаемой в условиях межзонного возбуждения люминесценции. Предложено теоретическое описание наблюдаемых эффектов.