Магнитное продолжение как эффективный способ получения фазы квантового аномального эффекта Холла в топологических изоляторах

Предложен новый и эффективный способ наведения магнетизма на поверхности топологического изолятора, заключающийся в нанесении на нее тонкой пленки изоструктурного магнитного изолятора, имеющего атомный состав, максимально схожий с топологическим материалом. Такой дизайн позволяет избежать формирование сильного интерфейсного потенциала между подсистемами, вследствие чего топологическое состояние свободно проникает в магнитную область, где взаимодействует с обменным полем и испытывает значительное расщепление в точке Дирака. Показано, что применение данного подхода к тонким пленкам тетрадимитоподобного топологического изолятора позволяет реализовать фазу квантового аномального эффекта Холла с размером запрещенной щели в несколько десятков миллиэлектронвольт.