Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия

Растянутые пленки германия в многослойных гетероструктурах Ge/GeSn/Si/GeSnSi, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si(001), исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. Двуосные деформации растяжения в пленках достигали 1.5 %, что превысило значения, полученные ранее для данной системы. Экспериментально обнаружено расщепление частот длинноволновых оптических фононов, т.е. вызванный двуосными растяжениями сдвиг частоты синглета, как и предсказывают расчеты, больше сдвига частоты дублета. Обнаружен также индуцированный деформациями сдвиг пиков комбинационного рассеяния света от двухфононного рассеяния в германии.