Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si

Обнаружено, что интеграция гетероструктур Ge/Si, содержащих слои квантовых точек Ge, с двумерными регулярными решетками субволновых отверстий в золотой пленке на поверхности полупроводника приводит к многократному (до 20 раз) усилению фототока дырок в узких областях длин волн фотонов среднего инфракрасного диапазона. Результаты объяснены возбуждением световой волной поверхностных плазмон-поляритонов на границе раздела металл-полупроводник, эффективно взаимодействущих с внутризонными переходами дырок в квантовых точках.