Электронно-топологический переход в купратных ВТСП перед сверхпроводящим переходом

Впервые показано, что перед переходом в сверхпроводящее состояние оптимально допированных высокотемпературных сверхпроводников на основе Y и Bi в их электронных подсистемах происходит электронно-топологический переход Лифшица. На это однозначно указывает масштабная дырочно-электронная конверсия в системе носителей заряда при $T=T_{\text{c}}+({\sim}\,10\,\text{К})$.