Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством

Методом спектроскопии квантового выхода фотоэмиссии изучена эволюция вероятностей выхода горячих и термализованных электронов из GaAs(001) с адсорбированными слоями цезия и кислорода при переходе от положительного к отрицательному эффективному электронному сродству. Обнаружен и объяснен минимум вероятности выхода термализованных электронов вблизи нулевого сродства.