П. Д. Григорьев, А. А. Синченко, К. К. Кешарпу, А. Шакин, Т. И. Могилюк, А. П. Орлов, А. В. Фролов, Д. С. Любшин, Д. А. Чареев, О. С. Волкова, А. Н. Васильев, “Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe”, Письма в ЖЭТФ, 2017, том 105, выпуск 12,страницы 748–753

RUS ENG

Полная версия

ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2017, том 105, выпуск 12, страницы 748–753 (Mi jetpl5298)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe

П. Д. Григорьев^abc, А. А. Синченко^de, К. К. Кешарпу^c, А. Шакин^c, Т. И. Могилюк^f, А. П. Орлов^d, А. В. Фролов^gd, Д. С. Любшин^gb, Д. А. Чареев^hi, О. С. Волкова^jch, А. Н. Васильев^cjk

^a Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
^b Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет (МИСиС), 119049 Москва, Россия
^d Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
^e Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия
^f Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
^g Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
^h Уральский Федеральный Университет, 620002 Екатеринбург, Россия
ⁱ Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^j Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
^k Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва

Аннотация: Предложена теоретическая модель для описания проводимости слоистого анизотропного нормального металла, содержащего малые сверхпроводящие включения при произвольном эксцентриситете сфероидных сверхпроводящих островков. Проведены измерения электронных транспортных и магнитных свойств монокристаллов FeSe, результаты которых указывают на существование сверхпроводимости при температурах, значительно превышающих критическую температуру сверхпроводящего перехода, соответствующую обращению в ноль электросопротивления. В рамках предложенной модели удалось получить количественное согласие объемной доли сверхпроводящих включений и ее температурной зависимости, определенной по результатам выполненных транспортных и магнитных измерений.

Поступила в редакцию: 21.04.2017
Исправленный вариант: 15.05.2017

DOI: 10.7868/S0370274X17120086

Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, 105:12, 786–791

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024