Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study

M. Luo^a, Y. E. Xu^b, Y. X. Song<sup>c

a</sup> Department of Physics, Shanghai Second Polytechnic University, 201209 Shanghai, China
^b Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, 201306 Shanghai, China
^c Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, 200241 Shanghai, China

Поступила в редакцию: 05.06.2017

Язык публикации: английский

DOI: 10.7868/S0370274X17130100

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, 106:1, 46–50

Реферативные базы данных:

• 
• 
•