Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)

Выполнены первопринципные расчеты электронной структуры и частотной зависимости мнимой части диэлектрической функции для нанокристаллов кремния размерами 1–2 нм, поверхность которых полностью пассивирована атомами галогенов – Cl или Br. Как следует из расчетов, пассивация галогенами приводит к сильной локализации валентных электронов в приповерхностной области и, в результате, к заметному сужению ширины запрещенной зоны нанокристалла и уменьшению его поглощающей способности по сравнению со случаем водородной пассивации. Более сильно эти эффекты выражены в нанокристаллах, покрытых бромом.