Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu

В работе исследован магнетотранспорт в тонких пленках Bi$_2$Se$_3$ с магнитной примесью Eu в области слабых магнитных полей. При повышении уровня легирования наблюдается насыщение длины дефазировки при охлаждении, что может быть объяснено наличием магнитных включений. Наблюдаемая анизотропия магнетосопротивления качественно аналогична анизотропии, наблюдаемой в немагнитных пленках Bi$_2$Se$_3$. Множественные аналогии со свойствами пленок чистого Bi$_2$Se$_3$, с учетом некоторых отличий, могут быть объяснены в предположении локального взаимодействия топологически нетривиальных интерфейсных состояний с Eu-содержащими включениями.