Влияние топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера на образование колец в сильных электрических полях

Проведено моделирование распределения напряженности электрического поля, плотности тока и траекторий эмиттированных электронов с учетом топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера. Анализ полученных моделей показал усиление напряженности электрического поля и плотности тока на концентрических наноразмерных выступах по периферии эмиттера. Показано, что наноразмерные выступы являются источниками интенсивной эмиссии электронов, наложение траекторий которых приводит к появлению нескольких колец на эмиссионном изображении.