Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния

Исследована деформация слоев твердого раствора SiGeSn толщиной $d=1.5, 2.0$ нм, полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод геометрической фазы при анализе изображений электронной микроскопии (ЭМ) сверхвысокого разрешения. Толщина слоев раствора сравнима с пространственным разрешением ($\Delta\sim1\,$нм) ЭМ, что приводит к значительному искажению профиля распределения деформации и погрешности в определяемой величине деформации. Из сравнения формы наблюдаемого и реального распределения деформации в исследованных слоях получены поправки к измеряемой величине, приближающие ее к реальному значению. Поправка определяется отношением $\Delta/d$. Найденные значения деформации хорошо согласуются с величинами, рассчитанными для псевдоморфного состояния слоев в модели абсолютно жесткой подложки.