Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме

Исследовано туннелирование через локализованные электронные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. С помощью метода визуализации волновых функций получены контурные карты пространственного распределения плотности вероятности электронных волновых функций этих состояний. Обнаружено, что их волновые функции обладают аксиальной симметрией и формой, подобной основному состоянию молекулы водорода, а характерные размеры волновых функций совпадают с предсказываемыми теорией размерами водородоподобных состояний донорных пар кремния в GaAs квантовой яме с соответствующими энергиями связи.