Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя

На образцах, изготовленных из одной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой, выполнены измерения температурных зависимостей частоты переключений спонтанного электрического поля, возникающего под микроволновым излучением и образующего доменную структуру, и проводимости слоя легирования, поставляющего электроны в систему. Обнаружено, что обе величины описываются термоактивационной зависимостью (закон Аррениуса) с близкими значениями энергии активации. Полученный результат указывает на связь между этими величинами и подтверждает гипотезу о том, что наблюдаемая динамика доменной структуры является следствием динамического экранирования спонтанного электрического поля доменов зарядами слоя легирования.