Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe

Обнаружено влияние постоянного и импульсного магнитных полей ($\sim$ 1 Тл) на электропроводность кристаллов CdTe. Эффект наблюдается с задержкой после магнитной экспозиции кристаллов в виде двух пиков их удельной проводимости с последующим релаксационным возвратом. Первый пик при обоих типах магнитной обработки наблюдается через $\sim$ 1 ч после экспозиции, а его амплитуда превышает фоновое значение на $\sim$ 23–36 % (большее значение для постоянного поля). Второй пик в обоих случаях тоже возникает при соизмеримых, но гораздо больших задержках $\sim$ 50–60 ч, а его амплитуды еще сильней различаются для двух типов экспозиции, превышая фон на $\sim$ 60 % для постоянного поля и только на $\sim$ 11 % для импульсного. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемого эффекта.