Аннотация:
Интерметаллид Mn$_5$Ge$_3$ является одним из перспективных материалов для использования в спинтронике в качестве источника носителей заряда. В представленных в литературе экспериментальных данных о спиновой поляризации Mn$_5$Ge$_3$ имеются значительные расхождения, все теоретические исследования посвящены изучению 3-х мерного кристалла Mn$_5$Ge$_3$, в то время как для практического использования интерес представляю тонкие пленки. В работе представлены результаты первопринципных расчетов для тонкой пленки Mn$_5$Ge$_3$ на подложке из германия. Показано как меняются магнитные моменты атомов марганца, плотность состояний и спиновая поляризация при переходе от 3-х мерного кристалла к тонкой пленке.