Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn$_{0.1}$Cd$_{0.9}$GeAs$_2$ + MnAs

В гибридном нанокомпозите на основе матрицы Zn$_{0.1}$Cd$_{0.9}$GeAs$_2$ и MnAs кластеров исследовано влияние высокого давления на электронный транспорт и полевую зависимость поперечного магнетосопротивления. Вблизи индуцированного давлением структурного превращения ($P\approx3.5\,$ГПа) формируется рекордно большая величина отрицательного магнетосопротивления $\sim74\,\%$. Рассматриваемые механизмы рассеяния учитывают, как вклад, происходящий от MnAs кластеров при сравнительно низких давлениях (до $0.7$ ГПа), так и спин-зависимое рассеяние на локализованных магнитных моментах, в замещенной Mn структуре матрицы в области структурного перехода. Наличие положительного участка магнетосопротивления, связанного с двухзонной моделью транспорта в фазе высокого давления, а также большое отрицательное магнетосопротивление описываются в рамках полуэмпирического выражения Хосла–Фишера.