Аннотация:
Теоретически изучен эффект кулоновского увлечения газа дипольных экситонов в пространственно разделенных двумерных квантовых ямах, содержащих электронный и экситонный газы. Эффект кулоновского увлечения экситонов может быть использован для управления транспортом экситонов в транзисторных структурах, активным элементом которых является двумерный газ дипольных экситонов. Получены выражения для кросс-проводимости экситонов в двух предельных режимах транспорта — диффузионном и баллистическом как функции температуры. Для каждого режима транспорта анализируются предельные случаи по параметру отношения длины экранирования кулоновского взаимодействия к расстоянию между газами. Показано, что при температурах, значительно превосходящих температуру вырождения экситонного газа, кросс-проводимость не зависит от температуры, а в обратном пределе обращается в нуль экспоненциальным образом.