Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава

В приближении сильной связи, без использования подгоночных параметров рассчитаны величины барьеров для инжекции электронов и дырок из кремния в SiO$_{x}$. Найдена зависимость электронной структуры обогащенного кремнием аморфного оксида кремния SiO$_{x}$ от степени обогащения. В расчетах использован способ параметризации матричных элементов Гамильтониана сильной связи, предложенный ранее авторами, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело. Показано, что учет этого изменения позволяет рассчитывать электронную структуру без подгоночных параметров, используя в качестве исходных данных параметры изолированных атомов. Последнее обстоятельство дает возможность вести расчет в абсолютной шкале энергий с нулем, соответствующим энергии электрона в вакууме.