Эффект резонансного фотонного увлечения дипольных экситонов

Представлена теория эффекта фотонного увлечения дипольных экситонов в наноструктурах с двойными квантовыми ямами. Показано, что плотность потока увлечения экситонов имеет резонансное поведение в случае, если частота фотона близка к энергии перехода между уровнями дискретного спектра экситона. При облучении структуры поляризованным светом резонансное усиление тока увлечения происходит при совпадении энергии фотона с энергией возбужденного энергетического уровня внутреннего движения экситона, причем проекции углового момента внутреннего движения начального и конечного состояний должны отличаться на единицу. Предложенный эффект может быть использован для управления транспортом экситонов в наноструктурах на основе двумерного экситонного газа.