Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум

Впервые изучены спонтанные изменения фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с эффективным отрицательным электронным сродством, вызванные перестройками его атомной структуры. Обнаружено оптимальное Сs-покрытие, обеспечивающее как максимальную вероятность выхода фотоэлектронов в вакуум, так и ее стабильность. Предложена термодинамическая модель, объясняющая связи фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с его свободной энергией и энтропией.