Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой

Исследованы излучательные характеристики источника одиночных фотонов, изготовленного на основе эпитаксиальной гетероструктуры с квантовыми точками CdSe/ZnSe и цилиндрического волновода с переменным сечением, сформированного в слое резиста методом электронной литографии. В условиях оптической накачки при $80$ K показана возможность генерации потока одиночных фотонов на длине волны $530$ нм со средней интенсивностью порядка $1$ МГц и значением корреляционной функции второго порядка при нулевой задержке ${g}^{(2)}(0)=0.15\pm0.03$.