Аннотация:
Для примесных ионов Tm$^{3+}$ в монокристаллах ортосиликата иттрия (Y$_2$SiO$_5$) стационарными методами спектроскопии электронного парамагнитного резонанса в диапазоне частот 50–100 ГГц при 4.2 К измерены частотно-полевые и ориентационные зависимости спектров ЭПР. Определены позиция примесного иона в кристаллической решетке и его магнитные характеристики. Импульсными методами электронного парамагнитного резонанса в диапазоне температур 5–15 К измерены температурные зависимости времен спин-решеточной и фазовой релаксации и установлена высокая эффективность прямого однофононного механизма спин-решеточной релаксации. Это сильно укорачивает время спин-решеточной релаксации при низких температурах и делает примесные ионы Tm$^{3+}$ в Y$_2$SiO$_5$ перспективной основой для реализации быстродействующей квантовой памяти на основе редкоземельных ионов в диэлектрических кристаллах.
Поступила в редакцию: 21.06.2018 Исправленный вариант: 29.06.2018