Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе

Впервые проведено экспериментальное исследование терагерцовой циклотронной резонансной фотопроводимости двумерной электронно-дырочной системы, когда циклотронный резонанс вызван поглощением излучения электронами, концентрация которых на один–три порядка ниже концентрации дырок. Получена информация о поведении основных параметров (амплитуда и уширение) резонансной фотопроводимости в зависимости от длины волны излучения, температуры и концентрации электронов. На основании этого сделан вывод о том, что резонансная фотопроводимость изучаемой системы обусловлена циклотронным резонансом, вызванным переходами между частично заполненным нулевым уровнем Ландау электронов и первым, причем уширение резонанса обусловлено рассеянием на короткодействующем экранированном примесном потенциале. Обнаружено, что уменьшение концентрации электронов на порядок не приводит к заметному уменьшению сигнала фотопроводимости, более того, на длине волны 432 мкм она даже немного растет. Указанный факт может быть связан с эффективным усилением напряженности поля падающей волны в исследуемой системе.