RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2009, том 90, выпуск 8, страницы 621–625 (Mi jetpl568)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si

А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отд. РАН

Аннотация: Теоретически исследованы пространственная конфигурация экситонов и сила осциллятора, характеризующая интенсивность межзонных оптических переходов в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si. Обнаружено, что существуют условия (размеры квантовых точек, расстояние между точками), при которых происходит многократное (до 5 раз) увеличение вероятности экситонного перехода по сравнению со случаем одиночных квантовых точек. Ожидается, что полученные результаты позволят приблизиться к решению проблемы создания эффективных светоизлучающих и фотоприемных устройств на базе непрямозонных полупроводников Si и Ge.

PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz

Поступила в редакцию: 01.09.2009


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, 90:8, 569–573

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024