Квазидырки в гетеропереходе MgZnO/ZnO как вакансионы

Рассмотрен процесс рекомбинации двумерных электронов низкой плотности в гетеропереходе MgZnO/ZnO с локализованными дырками валентной зоны. Квазидырки, возникающие при фотолюминесценции сильно взаимодействующих двумерных электронов, предложено рассматривать как квазичастицы в квантовом вигнеровском кристалле — вакансионы. Вакансионы, образующиеся при удалении электрона из кристалла, вследствие эффекта туннелирования не локализованы. Энергии вакансионов $E(k)$ образуют зону шириной $D$, зависящую от вероятности туннелирования вакансии. Величина $D$ соответствует ширине зоны фотолюминесценции двумерной электронной системы. Получена форма полосы фотолюминесценции вигнеровского кристалла в приближении сильной связи для закона дисперсии вакансионов $E(k)$, проведено сравнение с экспериментальными результатами.